Rede Nacional de Microspia Electrónica
Microscópio Electrónico de Varrimento de Ultra alta resolução com emissão de campo, com sistema integrado de microanálise por raios-X (EDS - energy dispersive spectrometer) e analise de padrões de difracção de electrões retrodifundidos (EBSD - Electron Backscatter Diffraction)
Tipo de análise:
O Microscópio permite a análise de amostras condutoras, semicondutoras e não condutoras incluindo qualquer tipo de polímero, metal e/ou cerâmico, material orgânico.
Este microscópio de ultra elevada resolução (< 1.8 nm tanto em alto como em baixo vácuo) encontra-se particularmente desenvolvido para o estudo e caracterização de nanomateriais tais como: revestimentos de diamante, filmes finos, nanotubos de carbono, nanopartículas, semicondutores, polímeros, materiais porosos, substratos de vidro, materiais orgânicos, entre outros materiais.
Adicionalmente, o Nova NanoSEM 200 possuiu capacidades únicas de caracterização com ultra-elevada resolução em baixo vácuo, num ambiente que suprime a carga em materiais ou componentes não condutores e anula a contaminação própria da amostra ou induzida pelo feixe de electrões. Deste modo, está especialmente vocacionado para a análise de amostras carregadas e/ou contaminadas. Esta eliminação da carga também suprime a necessidade de aplicar revestimentos condutores que podem obscurecer os detalhes da imagem e interferir com a análise composicional.
Com o sistema integrado de microanálise por raios-X (EDS) e o sistema de detecção e análise de padrões de difracção de electrões rectrodifundidos (EBSD), é possível realizar aquisição e análise de espectros de raios-X desde o B até o U. Adicionalmente, podem ser obtidos mapas de perfis de raios-X por elementos e realizar análise sequencial de partículas e de regiões numa amostra. O sistema EBSD, permite o registo e análise de padrões de difracção de electrões Retrodifundidos num ponto ou numa região específica da amostra.
Características técnicas:
Sistema
Integrado (EDS - energy dispersive spectrometer /EBSD - Electron
Backscatter Diffraction), marca EDAX- Pegasus X4M
Resolução em
alto-vácuo
Resolução em baixo-vácuo
Resolução de operação em Transmissão
Tensão de aceleração: 200V até 30 kV
Canhão de electrões: emissor de Schottky com operação automática
Corrente do feixe de electrões: 0.3 pA a 22 nA, ajustável continuamente
Pressão na câmara da amostra (alto vácuo): <10-4 mBar
Pressão na câmara da amostra (baixo vácuo): <2 mBar
Detectores:
Câmara da amostra:
Resolução do processador de imagem:
Resolução do processador de Padrões
Controlo de operação:
Sistema integrado de microanálise por raios X (EDS) e um sistema de detecção e análise de padrões de difracção de electrões rectrodifundidos (EBSD) de marca EDAX modelo Pegasus X4M com as seguintes características:
Características do sistema EDS
Detector de Si (Li) tipo SEM de janela ultra fina (SUTW);
Aquisição e análise de espectros de raios X (B-U) - qualitativo e quantitativo com correcção de matriz ZAF e FIROZ;
Captura digital de imagem SEM e selecção do ponto/região de análise;
Mapas de perfis de raios X – por elementos, espectro integral e quantitativos.;
Automação da aquisição de mapas de raios X em regiões múltiplas;
Análise sequencial automática de partículas e de regiões/campos múltiplos.
Características do sistema EBSD
Unidade de detecção de EBSD com Câmara DigiView III e detector “Forward Scatter Detector System”;
Software para registo e análise de padrões de difracção de electrões Retrodifundidos;
Software para registo, processamento e análise de OIM;
“Software Delphi” de identificação de fases combinando resultados de análise EDS e EBSD (Base de Dados ICDD - Versão Académica).
Entidade Gestora e Financiadora do
Programa Nacional de Re-equipamento Científico (PNRC):
FCTFCT - Fundação para a Ciência e a Tecnologia
Projecto REDE/1511/RME/2005